時(shí)代的發(fā)展，物質(zhì)的需求，目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類(lèi)型可分為雙極型集成電路（主要為T(mén)TL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。今天我們就來(lái)重點(diǎn)學(xué)習(xí)CMOS集成電路的內(nèi)容，掌握它。
CMOS集成電路的簡(jiǎn)介
CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(me
tal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS集成電路的性能特點(diǎn)
微直流功耗—CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。
高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。
寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。
高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電壓的
“1”為VDD，邏輯“0”為VSS。
高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。
高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。
低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。
寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS電路為 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的輸入均有刪保護(hù)電路，良好的抗輻照特性等。
CMOS與TTL的比較
CMOS發(fā)展比TTL晚，但是以其較高的優(yōu)越性在很多場(chǎng)合逐漸取代了TTL。
以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。
1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成
2.CMOS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門(mén)）
5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)。
CMOS集成電路的使用注意事項(xiàng)
1）CMOS電路時(shí)電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個(gè)恒定的電平。
2）輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí)，要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。
3）當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線時(shí)，在CMOS電路端接匹配電阻。
4）當(dāng)輸入端接大電容時(shí)，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5）CMOS的輸入電流超過(guò)1mA，就有可能燒壞CMOS。
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